二、半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備發(fā)展趨勢

1.半導(dǎo)體行業(yè)景氣度帶動設(shè)備需求增長

隨著半導(dǎo)體行業(yè)整體景氣度的提升，全球半導(dǎo)體設(shè)備市場呈現(xiàn)快速增長態(tài)勢，拉動市場對薄膜沉積設(shè)備需求的增加。薄膜沉積設(shè)備行業(yè)一方面長期受益于全球半導(dǎo)體需求增加與產(chǎn)線產(chǎn)能的擴充，另一方面受益于技術(shù)演進帶來的增長機遇，包括制程進步、多重曝光與3DNAND存儲技術(shù)，全球半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備市場規(guī)模將因此高速增長。

2.進口替代空間巨大

近年來，在國家政策的拉動和支持下，我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展，整體實力顯著提升，設(shè)計、制造能力與國際先進水平不斷縮小，但半導(dǎo)體先進設(shè)備制造仍然相對薄弱。為推動我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，國家先后設(shè)立國家重大專項和國家集成電路基金，國家集成電路基金首期募資1387億元，二期募資超過2000億元。伴隨著國家鼓勵類產(chǎn)業(yè)政策和產(chǎn)業(yè)投資基金不斷的落實與實施，本土半導(dǎo)體及其設(shè)備制造業(yè)迎來了前所未有的發(fā)展契機，而薄膜沉積設(shè)備作為半導(dǎo)體制造的核心設(shè)備，將會迎來巨大的進口替代市場空間。

3.薄膜要求提高衍生設(shè)備需求

在晶圓制造過程中，薄膜發(fā)揮著形成導(dǎo)電層或絕緣層、阻擋污染物和雜質(zhì)滲透、提高吸光率、阻擋刻蝕等重要作用。由于芯片的線寬越來越窄、結(jié)構(gòu)越來越復(fù)雜，薄膜性能參數(shù)精細化要求也隨之提高，如先進制程的前段工藝對薄膜均勻性、顆粒數(shù)量控制、金屬污染控制的要求逐步提高，臺階覆蓋能力強、薄膜厚度控制精準的ALD設(shè)備因此被引入產(chǎn)線。

4.先進制程增加導(dǎo)致設(shè)備市場攀升

隨著集成電路制造不斷向更先進工藝發(fā)展，單位面積集成的電路規(guī)模不斷擴大，芯片內(nèi)部立體結(jié)構(gòu)日趨復(fù)雜，所需要的薄膜層數(shù)越來越多，對絕緣介質(zhì)薄膜、導(dǎo)電金屬薄膜的材料種類和性能參數(shù)不斷提出新的要求。在90nmCMOS工藝大約需要40道薄膜沉積工序。在3nmFinFET工藝產(chǎn)線，則超過100道薄膜沉積工序，涉及的薄膜材料由6種增加到近20種，對于薄膜顆粒的要求也由微米級提高到納米級。只有薄膜沉積設(shè)備的不斷創(chuàng)新和進步才能支撐集成電路制造工藝向更小制程發(fā)展。

目前，半導(dǎo)體行業(yè)的薄膜沉積設(shè)備中，PVD設(shè)備與CVD設(shè)備均已初步實現(xiàn)國產(chǎn)化，而ALD設(shè)備作為先進制程所必須的工藝設(shè)備，在大規(guī)模量產(chǎn)方面國內(nèi)廠商尚未形成突破。當(dāng)技術(shù)節(jié)點向14納米甚至更小的方向升級時，與PVD設(shè)備和CVD設(shè)備相比，ALD設(shè)備的必要性更加凸顯。面對半導(dǎo)體設(shè)備向高精度化與高集成化方向發(fā)展的趨勢，以及國產(chǎn)化進程加快的背景下，國產(chǎn)半導(dǎo)體ALD設(shè)備迎來前所未有的發(fā)展契機。

更多資料請參考中商產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《中國半導(dǎo)體行業(yè)市場前景及投資機會研究報告》同時中商產(chǎn)業(yè)研究院還提供產(chǎn)業(yè)大數(shù)據(jù)、產(chǎn)業(yè)情報、產(chǎn)業(yè)研究報告、產(chǎn)業(yè)規(guī)劃、園區(qū)規(guī)劃、十四五規(guī)劃、產(chǎn)業(yè)招商引資等服務(wù)。