三、中游分析

1.碳化硅功率器件市場規(guī)模

碳化硅功率器件具有高電壓、大電流、高溫、高頻率、低損耗等獨特優(yōu)勢，將極大地提高現(xiàn)有使用硅基功率器件的能源轉(zhuǎn)換效率。隨著技術(shù)突破和成本的下降，碳化硅功率器件預(yù)計將大規(guī)模應(yīng)用于電動汽車、充電樁、光伏新能源等各個領(lǐng)域。中商產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《2024-2029全球及中國SiC和GaN功率器件市場洞察報告》顯示，2023年全球碳化硅功率器件市場規(guī)模達19.72億美元，近五年年均復(fù)合增長率達35.79%。中商產(chǎn)業(yè)研究院分析師預(yù)測，2024年全球碳化硅功率器件市場規(guī)模將增至26.23億美元。

數(shù)據(jù)來源：Yole、中商產(chǎn)業(yè)研究院整理

2.碳化硅基射頻器件市場規(guī)模

目前主流的射頻器件有砷化鎵、硅基LDMOS、碳化硅基氮化鎵等不同類型。碳化硅基氮化鎵射頻器件具有良好的導(dǎo)熱性能、高頻率、高功率等優(yōu)勢，有望開啟廣泛應(yīng)用。中商產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《2024-2029全球及中國SiC和GaN功率器件市場洞察報告》顯示，隨著通信基礎(chǔ)建設(shè)和軍事應(yīng)用的需求發(fā)展，全球碳化硅基射頻器件市場規(guī)模持續(xù)增長，2023年市場規(guī)模達到14.18億美元。中商產(chǎn)業(yè)研究院分析師預(yù)測，2024年全球碳化硅基射頻器件市場規(guī)模將達到16.54億美元。

數(shù)據(jù)來源：Yole、中商產(chǎn)業(yè)研究院整理

3.碳化硅功率半導(dǎo)體市場規(guī)模

碳化硅功率半導(dǎo)體器件主要包括碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、碳化硅IGBT等。這些器件在高功率、高頻率和高溫度環(huán)境下具有優(yōu)異的性能，廣泛應(yīng)用于電力電子、新能源、汽車電子等領(lǐng)域。中商產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《2024-2029全球及中國SiC和GaN功率器件市場洞察報告》顯示，2023年全球SiC功率半導(dǎo)體市場規(guī)模為21.2億美元，受益于新能源汽車及光伏領(lǐng)域需求量的高速增長，預(yù)計2024年全球SiC功率半導(dǎo)體市場規(guī)模預(yù)計將達26.6億美元。

數(shù)據(jù)來源：Omdia、中商產(chǎn)業(yè)研究院整理