2.1　半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈分析 12
2.1.1　半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈構(gòu)成 12
2.1.2　產(chǎn)業(yè)鏈上游分析 12
2.1.3　產(chǎn)業(yè)鏈中游分析 13
2.1.4　產(chǎn)業(yè)鏈下游分析 13
2.2　2019-2021年中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)分析 13
2.2.1　半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程 13
2.2.2　半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)政策匯總 14
2.2.3　半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)銷(xiāo)售規(guī)模 15
2.2.4　半導(dǎo)體細(xì)分市場(chǎng)結(jié)構(gòu) 15
2.2.5　半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)區(qū)域分布 15
2.2.6　半導(dǎo)體市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局 16
2.2.7　半導(dǎo)體市場(chǎng)需求規(guī)模 16
2.3　2019-2021年中國(guó)半導(dǎo)體材料發(fā)展?fàn)顩r 17
2.3.1　半導(dǎo)體材料發(fā)展歷程 17
2.3.2　半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模 18
2.3.3　半導(dǎo)體材料競(jìng)爭(zhēng)格局 18
2.3.4　半導(dǎo)體材料發(fā)展現(xiàn)狀 18
2.3.5　半導(dǎo)體材料驅(qū)動(dòng)因素 19
2.3.6　半導(dǎo)體材料制約因素 20
2.3.7　半導(dǎo)體材料發(fā)展趨勢(shì) 20
2.4　2019-2021年第三代半導(dǎo)體發(fā)展深度分析 21
2.4.1　第三代半導(dǎo)體發(fā)展歷程 21
2.4.2　第三代半導(dǎo)體利好政策 21
2.4.3　第三代半導(dǎo)體發(fā)展現(xiàn)狀 22
2.4.4　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)能狀況 22
2.4.5　第三代半導(dǎo)體投資規(guī)模 23
2.4.6　第三代半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)格局 23
2.4.7　第三代半導(dǎo)體規(guī)模預(yù)測(cè) 23

3.1　全球化合物半導(dǎo)體發(fā)展?fàn)顩r 25
3.1.1　市場(chǎng)發(fā)展規(guī)模 25
3.1.2　行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀 26
3.1.3　市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局 26
3.1.4　主要應(yīng)用領(lǐng)域 27
3.1.5　英國(guó)發(fā)展優(yōu)勢(shì) 28
3.2　中國(guó)化合物半導(dǎo)體發(fā)展環(huán)境分析 29
3.2.1　疫情對(duì)行業(yè)的影響分析 29
3.2.2　化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)政策 29
3.2.3　化合物半導(dǎo)體地方政策 30
3.2.4　化合物半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展 32
3.2.5　化合物半導(dǎo)體行業(yè)地位 33
3.3　2019-2021年中國(guó)化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)分析 34
3.3.1　市場(chǎng)規(guī)模分析 34
3.3.2　市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局 34
3.3.3　產(chǎn)品供應(yīng)狀況 35
3.3.4　產(chǎn)品價(jià)格分析 36
3.3.5　國(guó)內(nèi)廠商機(jī)遇 36
3.3.6　投資項(xiàng)目匯總 36
3.4　中國(guó)化合物半導(dǎo)體代工業(yè)務(wù)分析 39
3.4.1　化合物半導(dǎo)體代工業(yè)務(wù)需求 39
3.4.2　化合物半導(dǎo)體代工企業(yè)動(dòng)態(tài) 40
3.4.3　第二代化合物半導(dǎo)體代工 41

4.1　砷化鎵（GaAs）產(chǎn)業(yè)鏈分析 43
4.1.1　GaAs產(chǎn)業(yè)鏈構(gòu)成分析 43
4.1.2　GaAs材料特征與優(yōu)勢(shì) 43
4.1.3　GaAs制備工藝流程 44
4.1.4　中國(guó)GaAs產(chǎn)業(yè)鏈廠商 47
4.2　中國(guó)砷化鎵（GaAs）發(fā)展現(xiàn)狀分析 48
4.2.1　GaAs市場(chǎng)規(guī)模分析 48
4.2.2　GaAs市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局 48
4.2.3　產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì) 49
4.2.4　GaAs技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀 49
4.2.5　GaAs代工業(yè)務(wù)現(xiàn)狀 50
4.3　砷化鎵（GaAs）應(yīng)用領(lǐng)域分析 51
4.3.1　GaAs應(yīng)用市場(chǎng)結(jié)構(gòu) 51
4.3.2　GaAs下游主要廠商 52
4.3.3　GaAs射頻領(lǐng)域應(yīng)用 52
4.3.4　GaAs光電子領(lǐng)域應(yīng)用 52

5.1　氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展分析 53
5.1.1　GaN材料特征與優(yōu)勢(shì) 53
5.1.2　GaN產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)分析 53
5.1.3　GaN技術(shù)成熟度曲線 54
5.2　中國(guó)氮化鎵（GaN）市場(chǎng)運(yùn)行分析 55
5.2.1　GaN元件市場(chǎng)規(guī)模狀況 55
5.2.2　GaN市場(chǎng)產(chǎn)能布局動(dòng)態(tài) 55
5.2.3　GaN市場(chǎng)價(jià)格變動(dòng)分析 56
5.2.4　GaN市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局分析 56
5.2.5　GaN射頻器件市場(chǎng)規(guī)模 57
5.2.6　GaN微波射頻產(chǎn)值狀況 57
5.2.7　GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模 58
5.3　氮化鎵（GaN）應(yīng)用領(lǐng)域分析 58
5.3.1　GaN應(yīng)用市場(chǎng)結(jié)構(gòu) 58
5.3.2　GaN射頻領(lǐng)域應(yīng)用 59
5.3.3　GaN 5G宏基站應(yīng)用 60
5.3.4　GaN軍用雷達(dá)領(lǐng)域應(yīng)用 60
5.3.5　GaN快充充電器應(yīng)用 61

6.1　中國(guó)碳化硅（SiC）發(fā)展綜述 62
6.1.1　SiC材料特征與優(yōu)勢(shì) 62
6.1.2　SiC產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)分析 63
6.1.3　SiC關(guān)鍵原材料分析 64
6.1.4　SiC市場(chǎng)規(guī)模分析 66
6.1.5　SiC市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局 66
6.1.6　SiC市場(chǎng)參與主體 67
6.1.7　SiC晶片發(fā)展分析 68
6.1.8　SiC晶圓供需狀況 68
6.2　中國(guó)碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體市場(chǎng)分析 69
6.2.1　SiC功率半導(dǎo)體發(fā)展歷程 69
6.2.2　SiC與Si半導(dǎo)體對(duì)比分析 69
6.2.3　SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模 70
6.2.4　SiC功率半導(dǎo)體需求狀況 71
6.2.5　SiC功率器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀 71
6.2.6　SiC功率器件關(guān)鍵核心技術(shù) 72
6.2.7　SiC功率器件市場(chǎng)規(guī)模預(yù)測(cè) 73
6.3　碳化硅（SiC）應(yīng)用領(lǐng)域分析 74
6.3.1　SiC下游主要應(yīng)用場(chǎng)景 74
6.3.2　SiC新能源汽車(chē)領(lǐng)域應(yīng)用 75
6.3.3　SiC充電樁領(lǐng)域應(yīng)用 76

7.1　磷化銦（InP）材料特征與優(yōu)勢(shì)分析 77
7.1.1　InP半導(dǎo)體電學(xué)性能突出 77
7.1.2　InP材料光電領(lǐng)域應(yīng)用占優(yōu) 77
7.1.3　InP單晶制備技術(shù)壁壘高 77
7.2　磷化銦（InP）光通信產(chǎn)業(yè)鏈分析 78
7.2.1　InP光通信產(chǎn)業(yè)鏈 78
7.2.2　上游襯底公司 78
7.2.3　中游器件公司 79
7.2.4　下游云廠商 79
7.3　磷化銦（InP）應(yīng)用市場(chǎng)分析 80
7.3.1　InP在光模塊中的應(yīng)用 80
7.3.2　InP應(yīng)用市場(chǎng)規(guī)模占比 80
7.3.3　InP應(yīng)用市場(chǎng)規(guī)模預(yù)測(cè) 81

8.1　電力電子行業(yè) 82
8.1.1　電力電子應(yīng)用市場(chǎng)結(jié)構(gòu) 82
8.1.2　電力電子產(chǎn)業(yè)規(guī)模分析 84
8.1.3　電力電子應(yīng)用現(xiàn)狀分析 84
8.2　5G行業(yè) 85
8.2.1　5G手機(jī)應(yīng)用前景分析 85
8.2.2　功率放大器應(yīng)用狀況 85
8.2.3　化合物半導(dǎo)體需求分析 85
8.2.4　第三代化合物半導(dǎo)體應(yīng)用 86
8.3　新能源汽車(chē)行業(yè) 87
8.3.1　新能源汽車(chē)銷(xiāo)量狀況 87
8.3.2　電動(dòng)汽車(chē)半導(dǎo)體用量 88
8.3.3　汽車(chē)用功率器件需求 88
8.3.4　化合物半導(dǎo)體需求前景 89
8.4　光電行業(yè) 90
8.4.1　光模塊市場(chǎng)規(guī)模 90
8.4.2　數(shù)通光模塊需求分析 90
8.4.3　5G光模塊需求分析 91
8.4.4　在LED中的應(yīng)用狀況 91

9.1　三安光電 93
9.1.1　企業(yè)發(fā)展概況 93
9.1.2　企業(yè)布局動(dòng)態(tài) 93
9.1.3　經(jīng)營(yíng)效益分析 94
9.1.4　業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)分析 95
9.1.5　財(cái)務(wù)狀況分析 96
9.1.6　核心競(jìng)爭(zhēng)力分析 97
9.1.7　公司發(fā)展戰(zhàn)略 98
9.1.8　未來(lái)前景展望 98
9.2　揚(yáng)杰科技 98
9.2.1　企業(yè)發(fā)展概況 98
9.2.2　經(jīng)營(yíng)效益分析 98
9.2.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)分析 100
9.2.4　財(cái)務(wù)狀況分析 101
9.2.5　核心競(jìng)爭(zhēng)力分析 102
9.2.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略 102
9.2.7　未來(lái)前景展望 102
9.3　穩(wěn)懋半導(dǎo)體 103
9.3.1　企業(yè)發(fā)展歷程 103
9.3.2　業(yè)務(wù)布局分析 103
9.3.3　企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況 103
9.3.4　5G手機(jī)PA市占率 103
9.3.5　核心競(jìng)爭(zhēng)力分析 104
9.4　華潤(rùn)微 104
9.4.1　企業(yè)發(fā)展概況 104
9.4.2　經(jīng)營(yíng)效益分析 104
9.4.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)分析 106
9.4.4　財(cái)務(wù)狀況分析 107
9.4.5　核心競(jìng)爭(zhēng)力分析 108
9.4.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略 108
9.4.7　未來(lái)前景展望 108
9.5　海特高新 109
9.5.1　企業(yè)發(fā)展概況 109
9.5.2　經(jīng)營(yíng)效益分析 109
9.5.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)分析 111
9.5.4　財(cái)務(wù)狀況分析 112
9.5.5　核心競(jìng)爭(zhēng)力分析 113
9.5.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略 113
9.5.7　未來(lái)前景展望 113

10.1　中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)及前景 114
10.1.1　半導(dǎo)體行業(yè)融資規(guī)模 114
10.1.2　半導(dǎo)體行業(yè)投資現(xiàn)狀 114
10.1.3　半導(dǎo)體行業(yè)投資機(jī)遇 115
10.1.4　半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展趨勢(shì) 115
10.1.5　半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展前景 116
10.2　中國(guó)化合物半導(dǎo)體發(fā)展前景分析 116
10.2.1　化合物半導(dǎo)體投資機(jī)遇 116
10.2.2　化合物半導(dǎo)體需求前景 117
10.2.3　化合物半導(dǎo)體發(fā)展趨勢(shì) 117
10.3　 2021-2025年中國(guó)化合物半導(dǎo)體行業(yè)預(yù)測(cè)分析 117

圖表1 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈構(gòu)成 12
圖表2 2020年半導(dǎo)體細(xì)分市場(chǎng)結(jié)構(gòu) 15
圖表3 歷代半導(dǎo)體材料性能比較 17
圖表4 2019-2021年全球化合物半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模 25
圖表5 2019-2021年全球化合物半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)值 26
圖表6 2019-2021年中國(guó)化合物半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模 34
圖表7 2019-2021年中國(guó)化合物半導(dǎo)體行業(yè)供給規(guī)模 35
圖表8 砷化鎵行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈 43
圖表9 砷化鎵相關(guān)性質(zhì) 44
圖表10 液封直拉法GaAs制備 44
圖表11 水平布里其曼法GaAs制備 45
圖表12 垂直梯度凝固法GaAs制備 46
圖表13 全球砷化鎵產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)競(jìng)爭(zhēng)格局 48
圖表14 砷化鎵產(chǎn)業(yè)鏈國(guó)內(nèi)企業(yè)與國(guó)際企業(yè)對(duì)比分析 49
圖表15 2020年中國(guó)砷化鎵（GaAs）應(yīng)用市場(chǎng)結(jié)構(gòu)分析 51
圖表16 GaAs下游主要廠商 52
圖表17 GaN產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu) 53
圖表18 GaN技術(shù)成熟度曲線 54
圖表19 2020年中國(guó)氮化鎵(GaN)企業(yè)競(jìng)爭(zhēng) 56
圖表20 2021年中國(guó)氮化鎵(GaN)下游應(yīng)用領(lǐng)域結(jié)構(gòu) 58
圖表21 SiC單晶生長(zhǎng)示意圖 64
圖表22 全球碳化硅(SiC)襯底的企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局 66
圖表23 Si與SiC材料優(yōu)缺點(diǎn)對(duì)比 70
圖表24 InP光通信行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈 78
圖表25 中國(guó)襯底主要企業(yè)信息統(tǒng)計(jì) 78
圖表26 2021年全球InP應(yīng)用市場(chǎng)規(guī)模占比 80
圖表27 2021-2027年中國(guó)化合物半導(dǎo)體需求規(guī)模預(yù)測(cè) 89
圖表28 三安光電股份有限公司主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo) 94
圖表29 三安光電股份有限公司償債能力 95
圖表30 三安光電股份有限公司償債能力 96
圖表31 揚(yáng)杰科技主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo) 98
圖表32 揚(yáng)杰科技盈利能力 100
圖表33 揚(yáng)杰科技償債能力 101
圖表34 華潤(rùn)微主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo) 104
圖表35 華潤(rùn)微盈利能力 106
圖表36 華潤(rùn)微償債能力 107
圖表37 海特高新主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo) 109
圖表38 海特高新盈利能力 111
圖表39 海特高新償債能力 112