一、項目建設(shè)背景

碳化硅因其寬帶隙技術(shù)脫穎而出，是目前發(fā)展最成熟的半導(dǎo)體材料。與傳統(tǒng)硅基器件相比，碳化硅的擊穿場強是傳統(tǒng)硅基器件的10倍，導(dǎo)熱系數(shù)是傳統(tǒng)硅基器件的3倍，非常適合電源、太陽能逆變器、火車和風力渦輪機等高壓應(yīng)用。此外，碳化硅可用于制造LED，在汽車尤其是電動汽車車載充電裝置領(lǐng)域發(fā)展空間巨大。

中車株洲所的IGBT模塊成功進入智能電網(wǎng)領(lǐng)域，中車株洲所啟動技改項目，計劃建設(shè)年產(chǎn)50萬只中低壓IGBT模塊封裝線，主要用于電動汽車領(lǐng)域，為發(fā)展SiC材料應(yīng)用產(chǎn)業(yè)提供了很好的基礎(chǔ)。

二、項目前期工作

已完成前期調(diào)研工作。

三、項目建設(shè)內(nèi)容及規(guī)模

項目建設(shè)用地約500畝，計劃用 3 年時間，建成碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地和三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心。

四、項目總投資

項目擬投資25億元。

五、項目效益分析

預(yù)計項目達產(chǎn)年投資利潤率可達20%。

六、項目合作方式

獨資。

七、招商聯(lián)系電話：18610884067（微信號相同）