砷化鎵（gallium arsenide）是一種重要的半導體材料，化學式GaAs，屬Ⅲ－Ⅴ族化合物半導體。黑灰色固體，熔點1238℃。它在600℃以下，能在空氣中穩(wěn)定存在，并且不被非氧化性的酸侵蝕。屬閃鋅礦型晶格結構，晶格常數(shù)5.65×10-10m，禁帶寬度1.4電子伏。砷化鎵于1964年進入實用階段。砷化鎵材料的應用領域主要分為微電子領域和光電子領域。而生產(chǎn)GaAs的原材料主要有Ga（鎵）、As（砷）、Al2O3（氧化鋁）、B2O3（氧化硼）；其中，Ga（鎵）是最為可貴的原材料。砷化鎵廣泛運用于高頻及無線通訊(主要為超過1G Hz以上的頻率)，適于制做IC器件。所制出的這種高頻、高速、防輻射的高溫器件，通常應用于激光器、無線通信、光纖通信、移動通信、GPS全球導航等領域。砷化鎵除在IC產(chǎn)品應用以外，也可加入其它元素改變能帶隙及其產(chǎn)生光電反應，達到所對應的光波波長，制作成光電元件。砷化鎵元件是無線通訊產(chǎn)業(yè)的關鍵性零組件之一，隨著通訊產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展，通訊元件輕、薄、短、小的趨勢下，近幾年來已成為手機及無線區(qū)域網(wǎng)路不可或缺的重要關鍵元件。雖然全球智慧型手機年出貨量已進入低度成長，但隨著VCSEL的應用導入手機及5G世代的開啟，砷化鎵元件的用量比起以前將有增無減，同時超高頻通訊的普及以及光通訊應用的崛起對于砷化鎵元件都有強勁的需求。根據(jù)Strategy Analytics的研究報告，2018年，全球砷化鎵元件市場(含IDM廠商之組件產(chǎn)值)總產(chǎn)值約為88.7億美元，達到歷史新高，相比2017年的88.3億美元同比增長0.45%。根據(jù)Yole預計，2024-2029年，全球砷化鎵元件市場規(guī)模年均復合增長速度為10%，其中微電子領域為CAGR為3%，光電子領域CAGR為54%。到2024年，全球砷化鎵元件市場規(guī)模將達到157.1億美元。目前，中國作為電子信息制造業(yè)大國，下游應用市場廣闊。隨著我國光電通信等行業(yè)繼續(xù)大力發(fā)展。GaAs行業(yè)的市場需求潛力依然較大，未來中國砷化鎵市場占全球比重也將不斷增加。

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