2021年刻蝕機(jī)行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈上中下游市場(chǎng)分析（附產(chǎn)業(yè)鏈全景圖）
來(lái)源：中商產(chǎn)業(yè)研究院 發(fā)布日期：2021-06-29 15:19
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三、中游分析

1.刻蝕工藝

刻蝕工藝指的是用化學(xué)和物理方法，在經(jīng)顯影后的電路圖永久和精確地留在晶圓上，選擇性的去除硅片上不需要的材料。刻蝕工藝的方法有兩大類(lèi)，濕法蝕刻和干法蝕刻。具體如下圖所示：

資料來(lái)源：中商產(chǎn)業(yè)研究院整理

由于光刻機(jī)在20nm以下光刻步驟受到光波長(zhǎng)度的限制，因此無(wú)法直接進(jìn)行光刻與刻蝕步驟，而是通過(guò)多次光刻、刻蝕生產(chǎn)出符合人們要求的更微小的結(jié)構(gòu)。目前普遍采用多重模板工藝原理，即通過(guò)多次沉積、刻蝕等工藝，實(shí)現(xiàn)10nm線(xiàn)寬的制程。根據(jù)相關(guān)數(shù)據(jù)，14nm制程所需使用的刻蝕步驟達(dá)到64次，較28nm提升60%；7nm制程所需刻蝕步驟更是高達(dá)140次，較14nm提升118%，工藝升級(jí)持續(xù)推動(dòng)刻蝕機(jī)用量提升。

數(shù)據(jù)來(lái)源：SEMI、中商產(chǎn)業(yè)研究院整理

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