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2021年中國碳化硅器件行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈上中下游市場分析（附產(chǎn)業(yè)鏈全景圖）

來源：中商產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布日期：2022-03-10 15:29

碳化硅器件

三、產(chǎn)業(yè)鏈中游

1.碳化硅器件特性

硅（Si）基功率器件技術經(jīng)過60年的發(fā)展，已經(jīng)愈來愈接近其物理理論極限，難以滿足現(xiàn)階段應用環(huán)境對系統(tǒng)提出的高溫，高頻，高效和高功率密度等要求。碳化硅（SiC）材料作為第三代寬禁帶半導體材料的代表，有著Si材料所不具備的優(yōu)異特性。其高擊穿場強，高電子遷移率和高熱導率等性能正在逐步替代Si基功率器件的高端市場應用。碳化硅應用場景根據(jù)產(chǎn)品類型可分為射頻器件和功率器件。

資料來源：網(wǎng)絡公開資料

2.碳化硅射頻器件

射頻器件是在無線通信領域負責信號轉(zhuǎn)換的部件，如功率放大器、射頻開關、濾波器、低噪聲放大器等。碳化硅基氮化鎵射頻器件具有熱導率高、高頻率、高功率等優(yōu)點，相較于傳統(tǒng)的硅基LDMOS器件，其可以更好地適應5G通信基站、雷達應用等領域低能耗、高效率要求。

隨著全球5G通訊技術的發(fā)展和推廣，5G基站建設將為射頻器件帶來新的增長動力。5G通訊高頻、高速、高功率的特點對功率放大器的高頻、高速以及功率性能有更高要求。以碳化硅為襯底的氮化鎵射頻器件同時具備了碳化硅的高導熱性能和氮化鎵在高頻段下大功率射頻輸出的優(yōu)勢，突破了砷化鎵和硅基LDMOS器件的固有缺陷，能夠滿足5G通訊對高頻性能和高功率處理能力的要求，碳化硅基氮化鎵射頻器件已逐步成為5G功率放大器尤其是宏基站功率放大器的主流技術路線。

據(jù)Yole Development預測，2025年全球射頻器件市場將超過250億美元，其中射頻功率放大器市場規(guī)模將從2018年的60億美元增長到2025年的104億美元，而氮化鎵射頻器件在功率放大器中的滲透率將持續(xù)提高。隨著5G市場對碳化硅基氮化鎵器件需求的增長，半絕緣型碳化硅晶片的需求量也將大幅增長。