三、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈下游

隨著人工智能的快速發(fā)展，以及5G、物聯(lián)網(wǎng)、節(jié)能環(huán)保、新能源汽車等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的推動下，半導(dǎo)體的需求持續(xù)增加。預(yù)計2020年中國半導(dǎo)體市場需求規(guī)模將進(jìn)一步擴(kuò)大，市場需求規(guī)模有望達(dá)到19850億元。

數(shù)據(jù)來源：中商產(chǎn)業(yè)研究院整理

半導(dǎo)體下游需求向好，將迎來發(fā)展新機(jī)遇：

（1）國家政策大力扶持為中國半導(dǎo)體行業(yè)創(chuàng)造良好的發(fā)展環(huán)境

半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展程度是國家科技實力的重要體現(xiàn)，是信息化社會的支柱產(chǎn)業(yè)之一，更對國家安全有著舉足輕重的戰(zhàn)略意義。發(fā)展我國半導(dǎo)體相關(guān)產(chǎn)業(yè)，是我國成為世界制造強(qiáng)國的必由之路。

近年來，國家各部門相繼推出了一系列優(yōu)惠政策、鼓勵和支持集成電路行業(yè)發(fā)展。2006年2月，國務(wù)院發(fā)布《國家中長期科學(xué)和技術(shù)發(fā)展規(guī)劃綱要（2006-2020年）》，明確提出將核心電子器件、高端通用芯片作為16個重大專項之一。2014年6月，工信部發(fā)布《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》，提出“到2020年，集成電路產(chǎn)業(yè)與國際先進(jìn)水平的差距逐步縮小，全行業(yè)銷售收入年均增速超過20%，企業(yè)可持續(xù)發(fā)展能力大幅增強(qiáng)。”2014年10月，國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金成立，帶動中央和各省投入資金總規(guī)模超過4,000億人民幣。2016年，《“十三五”國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃》等多項政策的出臺為半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展提供了政策保障，進(jìn)一步明確了發(fā)展方向。國家相關(guān)政策的陸續(xù)出臺從戰(zhàn)略、資金、專利保護(hù)、稅收優(yōu)惠等多方面推動半導(dǎo)體行業(yè)健康、穩(wěn)定和有序的發(fā)展。

（2）半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重心轉(zhuǎn)移帶來國產(chǎn)替代巨大機(jī)遇

半導(dǎo)體行業(yè)目前呈現(xiàn)專業(yè)分工深度細(xì)化、細(xì)分領(lǐng)域高度集中的特點。從歷史進(jìn)程看，全球半導(dǎo)體行業(yè)已經(jīng)完成兩次的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移：第一次是20世紀(jì)70年代從美國轉(zhuǎn)向日本，第二次是20世紀(jì)80年代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)向韓國與中國臺灣。目前全球半導(dǎo)體行業(yè)正經(jīng)歷第三次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，世界半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)逐漸向中國大陸轉(zhuǎn)移。產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移是市場需求、國家產(chǎn)業(yè)政策和資本驅(qū)動的綜合結(jié)果。歷史上兩次成功的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移都帶動產(chǎn)業(yè)發(fā)展方向改變、分工方式縱化、資源重新配置，并給予了追趕者切入市場的機(jī)會，進(jìn)而推動整個行業(yè)的革新與發(fā)展。

目前，中國擁有全球最大且增速最快的半導(dǎo)體消費市場。2018年，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值達(dá)6532億元，比上年增長20.7%。巨大的下游市場配合積極的國家產(chǎn)業(yè)政策與活躍的社會資本，正在全方位、多角度地支持國內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展。我國光伏、顯示面板、LED等高新技術(shù)行業(yè)經(jīng)過多年已達(dá)到領(lǐng)先水平，也大力拉動了上游的功率半導(dǎo)體、顯示驅(qū)動芯片、LED驅(qū)動芯片等集成電路的國產(chǎn)化進(jìn)程。隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)技術(shù)的不斷突破，加之我國在物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、新能源汽車等下游市場走在世界前列，有望在更多細(xì)分市場實現(xiàn)國產(chǎn)替代。

（3）第三代半導(dǎo)體材料帶來發(fā)展新機(jī)遇

半導(dǎo)體行業(yè)經(jīng)過近六十年的發(fā)展，目前已經(jīng)發(fā)展形成了三代半導(dǎo)體材料，第一代半導(dǎo)體材料主要是指硅、鍺元素等單質(zhì)半導(dǎo)體材料；第二代半導(dǎo)體材料主要是指化合物半導(dǎo)體材料，如砷化鎵、銻化銦；第三代半導(dǎo)體材料是寬禁帶半導(dǎo)體材料，其中最為重要的就是SiC和GaN。和傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料相比，更寬的禁帶寬度允許材料在更高的溫度、更強(qiáng)的電壓與更快的開關(guān)頻率下運行。SiC具有高臨界磁場、高電子飽和速度與極高熱導(dǎo)率等特點，使得其器件適用于高頻高溫的應(yīng)用場景，相較于硅器件，可以顯著降低開關(guān)損耗。因此，SiC可以制造高耐壓、大功率電力電子器件如MOSFET、IGBT、SBD等，用于智能電網(wǎng)、新能源汽車等行業(yè)。與硅元器件相比，GaN具有高臨界磁場、高電子飽和速度與極高的電子遷移率的特點，是超高頻器件的極佳選擇，適用于5G通信、微波射頻等領(lǐng)域的應(yīng)用。

未來，隨著第三代半導(dǎo)體材料的成本因生產(chǎn)技術(shù)的不斷提升而下降，其應(yīng)用市場也將迎來爆發(fā)式增長，給半導(dǎo)體行業(yè)帶來新的發(fā)展機(jī)遇。

（4）新興科技產(chǎn)業(yè)的發(fā)展孕育新的市場機(jī)會

隨著物聯(lián)網(wǎng)、5G通信、人工智能等新技術(shù)的不斷成熟，消費電子、工業(yè)控制、汽車電子等半導(dǎo)體主要下游制造行業(yè)的產(chǎn)業(yè)升級進(jìn)程加快。下游市場的革新升級強(qiáng)勁帶動了半導(dǎo)體企業(yè)的規(guī)模增長。如在汽車電子領(lǐng)域，相比于傳統(tǒng)汽車，新能源汽車需要用到更多傳感器與制動集成電路，新能源汽車單車半導(dǎo)體價值將達(dá)到傳統(tǒng)汽車的兩倍，同時功率半導(dǎo)體用量比例也從20%提升到近50%；在物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域，根據(jù)預(yù)測，全球聯(lián)網(wǎng)設(shè)備將從2014年的37.5億臺上升到2020年的250億臺，形成超過3000億美元的市場規(guī)模，其中整體成本集中在MCU、通信芯片和傳感芯片三項，總共占比高達(dá)60%-70%。新興科技產(chǎn)業(yè)將成為行業(yè)新的市場推動力，并且隨著國內(nèi)企業(yè)技術(shù)研發(fā)實力的不斷增強(qiáng)，國內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)將會出現(xiàn)發(fā)展的新契機(jī)。