第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)或?qū)戇M“十四五”規(guī)劃 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)十四五前瞻(附圖表)
來源:中商產(chǎn)業(yè)研究院 發(fā)布日期:2020-09-04 14:31
分享:

中商情報網(wǎng)訊:日前,有消息透露國家計劃把大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)寫進目前正在制定的“十四五”規(guī)劃中。據(jù)消息,計劃在2021年-2025年間,在科研、教育、融資、應(yīng)用等方面大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),以期實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)獨立自主。

半導(dǎo)體行業(yè)經(jīng)過近六十年的發(fā)展,目前已經(jīng)發(fā)展形成了三代半導(dǎo)體材料,第一代半導(dǎo)體材料主要是指硅、鍺元素等單質(zhì)半導(dǎo)體材料;第二代半導(dǎo)體材料主要是指化合物半導(dǎo)體材料,如砷化鎵、銻化銦;第三代半導(dǎo)體材料是寬禁帶半導(dǎo)體材料,其中最為重要的就是SiC和GaN。

和傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料相比,更寬的禁帶寬度允許材料在更高的溫度、更強的電壓與更快的開關(guān)頻率下運行。SiC具有高臨界磁場、高電子飽和速度與極高熱導(dǎo)率等特點,使得其器件適用于高頻高溫的應(yīng)用場景,相較于硅器件,可以顯著降低開關(guān)損耗。因此,SiC可以制造高耐壓、大功率電力電子器件如MOSFET、IGBT、SBD等,用于智能電網(wǎng)、新能源汽車等行業(yè)。與硅元器件相比,GaN具有高臨界磁場、高電子飽和速度與極高的電子遷移率的特點,是超高頻器件的極佳選擇,適用于5G通信、微波射頻等領(lǐng)域的應(yīng)用。

未來,在利好政策不斷扶持下,隨著第三代半導(dǎo)體材料的成本因生產(chǎn)技術(shù)的不斷提升而下降,其應(yīng)用市場也將迎來爆發(fā)式增長,給半導(dǎo)體行業(yè)帶來新的發(fā)展機遇。展望“十四五”,我國半導(dǎo)體行業(yè)有哪些發(fā)展前景呢?

一、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)上游自主性提高

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游支撐產(chǎn)業(yè)主要為半導(dǎo)體材料和設(shè)備。從半導(dǎo)體材料來看,在半導(dǎo)體材料市場構(gòu)成方面,大硅片占比最大,占比為32.9%。其次為氣體,占比為14.1%,光掩膜排名第三,占比為12.6%,其后:分別為拋光液和拋光墊、光刻膠配套試劑、光刻膠、濕化學(xué)品、建設(shè)靶材,比分別為7.2%、6.9%、6.1%、4%和3%。

數(shù)據(jù)來源:中商產(chǎn)業(yè)研究院整理

半導(dǎo)體材料是指電導(dǎo)率介于金屬和絕緣體之間的材料,是制作晶體管、集成電路、光電子器件的重要材料。半導(dǎo)體材料主要應(yīng)用在晶圓制造和芯片封測階段。由于半導(dǎo)體材料領(lǐng)域高端產(chǎn)品技術(shù)壁壘高,而中國企業(yè)長期研發(fā)和累計不足,中國半導(dǎo)體材料在國際中處于中低端領(lǐng)域,大部分產(chǎn)品的自給率較低,主要是技術(shù)壁壘較低的封裝材料,而晶圓制造材料主要依靠進口。目前,中國半導(dǎo)體材料企業(yè)集中在6英寸以下的生產(chǎn)線,少量企業(yè)開始打入8英寸、12英寸生產(chǎn)線。

資料來源:中商產(chǎn)業(yè)研究院整理

如發(fā)現(xiàn)本站文章存在版權(quán)問題,煩請聯(lián)系editor@askci.com我們將及時溝通與處理。
中商情報網(wǎng)
掃一掃,與您一起
發(fā)現(xiàn)數(shù)據(jù)的價值
中商產(chǎn)業(yè)研究院
掃一掃,每天閱讀
免費高價值報告
?